Otsuka大塚顯微分光膜厚儀

Otsuka大塚

膜厚量測儀 FE-300

顯微分光膜厚儀 OPTM

測量原理
大塚電子利用光學干涉儀和自有的高精度分光光度計，實現(xiàn)非接觸、無損、高速、高精度的薄膜厚度測量。光學干涉測量法是一種使用分光光度計的光學系統(tǒng)獲得的反射率來確定光學膜厚的方法。以涂在金屬基板上的薄膜為例，從目標樣品上方入射的光被薄膜表面（R1）反射。此外，穿過薄膜的光在基板（金屬）和薄膜界面（R2）處被反射。測量此時由于光程差引起的相移所引起的光學干涉現(xiàn)象，并根據得到的反射光譜和折射率計算膜厚的方法稱為光學干涉法。分析方法有四種：峰谷法、頻率分析法、非線性最小二乘法和優(yōu)化法。

特點
非接觸、非破壞式，量測頭可自由集成在客戶系統(tǒng)內
初學者也能輕松解析建模的初學者解析模式
高精度、高再現(xiàn)性量測紫外到近紅外波段內的絕對反射率，可分析多層薄膜厚度、光學常數（n：折射率、k：消光系數）
單點對焦加量測在1秒內完成
顯微分光下廣范圍的光學系統(tǒng)（紫外 ~ 近紅外）
獨立測試頭對應各種inline定制化需求
最小對應spot約3um
可針對超薄膜解析nk

量測項目
絕對反射率分析
多層膜解析（50層）
光學常數（n：折射率、k：消光系數）

膜或者玻璃等透明基板樣品，受基板內部反射的影響，無法正確測量。OPTM系列使用物鏡，可以物理去除內部反射，即使是透明基板也可以實現(xiàn)高精度測量。此外，對具有光學異向性的膜或SiC等樣品，也可完全不受其影響，單獨測量上面的膜。

應用范圍
半導體、復合半導體：硅半導體、碳化硅半導體、砷化鎵半導體、光刻膠、介電常數材料
FPD：LCD、TFT、OLED（有機EL）
資料儲存：DVD、磁頭薄膜、磁性材料
光學材料：濾光片、抗反射膜
平面顯示器：液晶顯示器、薄膜晶體管、OLED
薄膜：AR膜、HC膜、PET膜等
其它：建筑用材料、膠水、DLC等

膜厚量測儀 FE-300

特點
支持從薄膜到厚膜的各種薄膜厚度
使用反射光譜分析薄膜厚度
實現(xiàn)非接觸、非破壞的高精度測量，同時體積小、價格低
簡單的條件設置和測量操作！任何人都可以輕松測量薄膜厚度
通過峰谷法、頻率分析法、非線性最小二乘法、優(yōu)化法等，可以進行多種膜厚測量。
非線性最小二乘法薄膜厚度分析算法可以進行光學常數分析（n：折射率，k：消光計數）。

測量項目
絕對反射率測量
膜厚分析（10層）
光學常數分析（n：折射率，k：消光計數）

測量對象
功能膜、塑料：透明導電膜（ITO、銀納米線）、相位差膜、偏光膜、AR膜、PET、PEN、TAC、PP、PC、PE、PVA、粘合劑、膠粘劑、保護膜、硬涂層、防指紋， 等等。
半導體：化合物半導體、Si、氧化膜、氮化膜、Resist、SiC、GaAs、GaN、InP、InGaAs、SOI、藍寶石等。
表面處理：DLC涂層、防銹劑、防霧劑等。
光學材料：濾光片、增透膜等。
FPD：LCD（CF、ITO、LC、PI）、OLED（有機膜、封裝材料）等
其他：HDD、磁帶、建筑材料等